Intel apre una nuova frontiera e si conferma la prima azienda del settore ad adottare la produzione di chip con High NA EUV. L’azienda ha segnato uno spartiacque nella produzione avanzata di semiconduttori. Lo ha fatto ompletando l’assemblaggio del primo scanner litografico High Numerical Aperture (High NA) Extreme Ultraviolet (EUV) commerciale del settore presso il proprio sito di ricerca e sviluppo di Hillsboro, Oregon.
Ora è la volta della calibrazione
Il tool TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV di Intel, fornito da ASML, sta ora attraversando le fasi di calibrazione in vista della definizione della futura roadmap dei processi di Intel. Il nuovo tool consente di migliorare notevolmente la risoluzione e il ridimensionamento delle funzionalità per i processori di nuova generazione. Modificando il design dell’ottica per proiettare le immagini stampate su un wafer di silicio.
Produzione di chip con High NA EUV, perché è importante
I tool High NA EUV svolgeranno un ruolo fondamentale nello sviluppo di chip avanzati e nella produzione di processori di nuova generazione. Intel Foundry, prima azienda del settore ad adottare l’High NA EUV, sarà in grado di fornire precisione e scalabilità senza precedenti. Consentendo la produzione di chip con le caratteristiche e le capacità più innovative, essenziali per sostenere i progressi nell’intelligenza artificiale e altre tecnologie emergenti.
Il ruolo di ASML
ASML ha annunciato di aver stampato le prime linee a 10 nanometri (nm) al mondo nel proprio laboratorio High NA di Veldhoven, Paesi Bassi. Queste sono le linee più sottili mai stampate e stabiliscono una risoluzione da record mondiale per uno scanner litografico EUV. Si tratta di una dimostrazione della validità dell’innovativo design dell’ottica High NA EUV di Zeiss, partner di ASML. È stato ottenuto un risultato rivoluzionario dopo che l’ottica, i sensori e le fasi del tool hanno completato la calibrazione grezza,
Come funziona
Si prevede che High NA EUV sarà in grado di stampare componenti fino a 1,7 volte più piccoli rispetto a quanto possibile con gli strumenti EUV esistenti. Ciò consentirà il ridimensionamento delle funzionalità 2D, con conseguente densità fino a 2,9 volte maggiore. Intel continua ad aprire la strada verso modelli sempre più piccoli e sempre più densi portando avanti la Legge di Moore in tutto il settore dei semiconduttori.
Produzione di chip con High NA EUV
Rispetto allo 0,33NA EUV, l’High NA EUV (o 0,55NA EUV) fornisce un contrasto di immagine più elevato a pari caratteristiche. Utilizzando una quantità inferiore di luce per esposizione e riducendo di conseguenza il tempo necessario per stampare ogni strato, a vantaggio della resa del wafer. Intel prevede di utilizzare sia lo 0,33NA EUV sia lo 0,55NA EUV insieme ad altri processi di litografia nello sviluppo e produzione di chip avanzati. L’approccio di Intel ottimizzerà la tecnologia di processo avanzata in termini di costi e prestazioni.
Il ruolo di Intel
Intel collabora con ASML da decenni per guidare l’evoluzione della litografia dalla litografia ad immersione da 193 nm all’EUV e ora all’High NA EUV. Il risultato è TWINSCAN EXE:5000, uno dei più avanzati strumenti di produzione mai costruiti. L’adozione della litografia High NA EUV pone l’azienda in prima linea nell’implementazione della Legge di Moore, portandola nell’era Angstrom. Intel ha annunciato i propri piani per adottare High NA EUV nel 2021, e nel 2022 ha annunciato insieme ad ASML una collaborazione continuativa per promuovere questa tecnologia avanzata.
Le informazioni sulla produzione di chip con NA EUV
La litografia high NA EUV è un passaggio evolutivo oltre la litografia EUV, che utilizza una lunghezza d’onda della luce (13,5 nm) che non si trova in natura sulla Terra. La luce viene creata da un potente laser che colpisce una goccia di stagno riscaldata alla temperatura di quasi 220.000 gradi Celsius,. Questa luce si riflette su una maschera contenente un modello della struttura di circuito desiderata e poi attraverso un sistema ottico costruito con i più accurati specchi mai fabbricati.
Le dimensioni dei transistor
L’apertura numerica (NA) è una misura della capacità di raccogliere e focalizzare la luce. Modificando il design dell’ottica utilizzata per proiettare un modello su un wafer, la tecnologia High NA EUV consente un significativo passo avanti nella risoluzione e nelle dimensioni dei transistor. La capacità di creare transistor di queste dimensioni richiede anche nuove strutture di transistor e miglioramenti in altre fasi del processo che Intel sta sviluppando parallelamente all’integrazione del primo sistema High NA EUV.
Produzione di chip con High NA EUV, il sito in Oregon
L’Oregon è al centro della ricerca e sviluppo della tecnologia di processo di Intel. Per far spazio a quest’ultima generazione di strumenti di litografia, Intel ha aperto Mod 3 nel 2022. Trasformare la ricerca in prodotti commerciali all’avanguardia è il campo in cui Intel eccelle da oltre 50 anni. Investire in ricerca e sviluppo e in strumenti come High NA EUV aiuterà ad espandere la capacità dell’azienda di produrre chip a livello nazionale. Oltre a rivitalizzare la ricerca e sviluppo per raggiungere gli obiettivi economici e di sicurezza nazionali.
