Micron amplia la gamma delle soluzioni di memoria NAND Flash per favorire l’innovazione nei data center e nell’elettronica di consumo. Le soluzioni sono basate sulla tecnologia leader di settore NAND a 176 strati e DRAM 1α (1-alpha). Oltre che la prima soluzione di archiviazione flash universale 3.1 per le applicazioni automobilistiche. L’ampliamento della gamma vuole accelerare le informazioni basate sui dati attraverso innovazioni a livello di memoria e di archiviazione. Esse consentono nuove funzionalità, dal data center all’intelligent edge.
Da Micron una nuova gamma di soluzioni di memoria e archiviazione
Micron ha annunciato l’avvio della produzione di massa della prima SSD PCIe di quarta generazione, realizzata con la prima NAND al mondo a 176 strati. Questo mese l’azienda renderà disponibile sul mercato anche la prima DRAM di tipo LPDDR4X con nodo 1α. La tecnologia LPDDR4x costituisce la specifica JEDEC più recente per DRAM di quarta generazione a basso consumo con tensione di ingresso e uscita elevata per consumi notevolmente ridotti. Rendendola la soluzione ideale per i dispositivi di elaborazione portatili.
SSD PCle di quarta generazione Micron per le applicazioni client esigenti
Le recenti SSD dell’azienda, Micron 3400 e 2450, offrono alte prestazioni e flessibilità di progettazione. Oltre a un consumo energetico ridotto, per consentire un uso prolungato, dalle workstation professionali ai notebook ultrasottili. L’SSD Micron 3400 fornisce il doppio della velocità di lettura e fino all’85% in più di velocità di scrittura. Per i clienti che cercano il miglior valore con prestazioni PCIe Gen4, l’SSD Micron 2450 offre un’esperienza utente altamente reattiva, ideale per l’uso quotidiano.
NAND Flash – Efficienza energetica da Micron 3400 e 2450
Grazie all’ottimizzazione dell’efficienza energetica, Micron 3400 e 2450 sono presenti all’interno della lista dei componenti della piattaforma Intel Modern Standby Partner Portal. Inoltre, entrambe le SSD di Micron sono state approvate all’interno della policy Power Speed PCIe di AMD e Modern Standby di Microsoft Windows.
Il primo LPDDR4x e DDR4 con nodo 1α al mondo
Micron rende disponibile il LPDDR4x con nodo 1α, poco dopo la presentazione dei primi prodotti DRAM con nodo 1α avvenuta nel gennaio 2021. L’azienda ha anche eseguito la convalida della DDR4 con nodo 1α sulle principali piattaforme di data center. Entrambi sono prodotti in serie negli impianti all’avanguardia di fabbricazione DRAM di Micron a Taiwan, tra cui il nuovo impianto A3 di Taichung.
La rapida immissione sul mercato della memoria Micron con 1α fornisce una tecnologia avanzata per favorire l’innovazione. La tecnologia 1α consente miglioramenti dell’efficienza energetica per la memoria, creando dei benefici in termini di mobilità per i notebook. Consentendo una maggiore durata della batteria per gli ambienti di lavoro, di studio o domestici.
Nuova gamma di soluzioni di memoria e archiviazione da Micron
Il nodo 1α fornisce anche un miglioramento del 40% nella densità di memoria e fino al 20% di risparmio energetico per l’utilizzo mobile rispetto al precedente LPDDR4x con nodo 1z. Si tratta del risparmio energetico ideale per i telefoni cellulari che devono preservare la durata della batteria. Portando l’innovazione all’intelligent edge, Micron ha annunciato che sta effettuando un campionamento delle densità a 128 GB e 256 GB della NAND a 96 strati. Con l’evolversi dei sistemi di infotainment, l’offerta UFS 3.1 di Micron risponde alle esigenze del mercato. Offrendo un’archiviazione a elevata velocità di trasmissione e a bassa latenza.
NAND Flash
Micron UFS 3.1 è caratterizzata da prestazioni di lettura due volte più veloci rispetto a UFS 2.1. Consentendo tempi di avvio rapidi e riducendo al minimo la latenza per l’infotainment a bordo dei veicoli ad alta intensità di dati e per i sistemi avanzati di assistenza alla guida (ADAS). UFS 3.1 fornisce anche prestazioni prolungate di scrittura più rapide del 50%.
Adozione sul mercato di DDR5 con il Programma di attivazione della tecnologia
Micron ha raggiunto un importante traguardo con il lancio del Programma di attivazione della tecnologia (TEP) per DDR5. Avvenuto nel 2020, è finalizzato ad accelerare l’adozione sul mercato delle DRAM più recenti. E preparare l’ecosistema per una vasta introduzione di piattaforme abilitate DDR5, prevista nel corso del prossimo anno.
