Micron lancia la prima memoria flash NAND 3D a 176 strati al mondo, che potenzia la capacità di archiviazione su applicazioni mobili. La nuova tecnologia a 176 strati e la sua architettura avanzata rappresentano una svolta radicale. Infatti consentono enormi guadagni nelle prestazioni delle applicazioni in una gamma di utilizzi che spazia dai data center, all’intelligent edge e al mobile.
Rappresentando la quinta generazione di NAND 3D e la seconda generazione di architetture di gate sostitutive di Micron, la NAND a 176 strati di Micron è il nodo NAND tecnologicamente più avanzato del mercato. Rispetto alla precedente generazione di 3D NAND ad alto volume dell’azienda, la NAND a 176 strati di Micron migliora sia la latenza di lettura che di scrittura di oltre il 35%, accelerando notevolmente le prestazioni delle applicazioni.
NAND 3D potenzia la capacità di archiviazione
Con una dimensione della matrice inferiore di circa il 30% rispetto alle migliori offerte della concorrenza, il design compatto di Micron è ideale per soluzioni che utilizzano fattori di forma ridotti. Il design versatile e la densità elevata fanno della NAND a 176 strati un elemento fondamentale della cassetta degli attrezzi di ogni tecnologo. Tra cui storage mobile, sistemi autonomi, infotainment di bordo e drive a stato solido (SSD) di client e data center.
La NAND a 176 strati di Micron offre una migliore qualità del servizio (QoS), un criterio di progettazione essenziale per gli SSD dei data center. Ciò può accelerare ambienti e carichi di lavoro ad alta intensità di dati come data lake, motori di intelligenza artificiale (AI) e analisi di big data. Una QoS migliorata può consentire agli smartphone 5G di avere più rapidità nell’avvio e nel passaggio tra app, creando un’esperienza mobile più fluida e reattiva, e consentendo un vero multitasking e un pieno utilizzo della rete 5G a bassa latenza.
Micron NAND 3D
La quinta generazione di 3D NAND di Micron offre anche la massima velocità di trasferimento dati migliore del settore, con 1.600 megatransfer al secondo (MT/s) sul bus Open NAND Flash Interface (ONFI), un miglioramento del 33%. La maggiore velocità dell’ONFI velocizza l’avvio del sistema e migliora le prestazioni delle applicazioni. Nelle applicazioni automobilistiche, questa velocità consentirà ai sistemi di bordo di avere tempi di risposta quasi istantanei all’accensione del motori, migliorando l’esperienza dell’utente.
Micron raggiunge la leadership nei costi con un’architettura innovativa
Con il rallentamento della legge di Moore, l’innovazione della 3D NAND di Micron è fondamentale per garantire il progresso. Micron ha messo insieme per la prima volta la sua architettura di gate di sostituzione sovrapposta con le tecniche innovative di charge-trap e CMOS-under-array. Il team degli esperti Micron della 3D NAND ha fatto rapidi progressi con la tecnica proprietaria CuA dell’azienda.
Micron NAND 3D
Micron ha migliorato scalabilità e prestazioni per le future generazioni, trasferendo la sua tecnologia delle celle NAND da gate flottante legacy a charge-trap. Questa tecnologia è combinata con l’architettura del gate di sostituzione di Micron. Essa utilizza wordline in metallo altamente conduttive invece di uno strato di silicio per ottenere prestazioni NAND 3D senza precedenti. L’adozione di questa tecnologia da parte di Micron consentirà inoltre all’azienda di
Micron ha aumentato la resistenza, il che è particolarmente vantaggioso nei casi di utilizzo di scrittura intensiva. Un esempio sono le scatole nere del settore aerospaziale e quelle per la registrazione di videosorveglianza. Nell’archiviazione mobile, l’architettura del gate di sostituzione della NAND a 176 livelli si traduce in prestazioni di carichi di lavoro misti più veloci del 15% per offrire un edge computing ultraveloce, un’inferenza AI migliorata e giochi multiplayer in tempo reale ricchi di grafica.
