Micron e Intel hanno sviluppato la tecnologia NAND 3D, per memorie flash ad elevata densità, pensate per l’integrazione nei notebook leggeri, nei device portatili, ma anche nei data center.
La nuova tecnologia NAND 3D, posiziona le celle di archiviazione dei dati in verticale, creando dispositivi di storage con capacità tre volte superiore rispetto alle tecnologie NAND concorrenti. In questo modo, si rende disponibile più storage in meno spazio per un’ampia gamma di dispositivi portatili consumer, oltre che per installazioni aziendali più complesse con un risparmio significativo sui costi, con consumi più bassi e prestazioni più elevate.
La memoria flash NAND planare si sta avvicinando ai limiti praticabili delle dimensioni, presentando sfide significative per il settore delle memorie.
Brian Shirley, Vice President of Memory Technology and Solutions di Micron Technology
La collaborazione tra Micron e Intel ha portato allo sviluppo di una tecnologia di storage allo stato solido all’avanguardia nel settore, che offre livelli di densità, prestazioni ed efficienza senza paragoni rispetto a qualsiasi altra tecnologia flash oggi disponibile. Questa tecnologia NAND 3D ha le potenzialità per segnare una svolta fondamentale nel mercato. La profondità dell’impatto che ha avuto finora la tecnologia flash, dagli smartphone ai supercomputer appositamente ottimizzati, ha solo scalfito la superficie delle attuali possibilità.Rob Crooke, Senior Vice President e General Manager del Non-Volatile Memory Solutions Group di Intel Corporation
Le iniziative di sviluppo di Intel in collaborazione con Micron riflettono il continuo impegno della nostra azienda ad offrire sul mercato tecnologie di memoria non volatile innovative. I miglioramenti significativi raggiunti a livello di densità e costi, resi possibili dall’innovazione della tecnologia NAND 3D, accelereranno l’adozione dello storage a stato solido nelle piattaforme di computing.
Uno degli aspetti più significativi di questa tecnologia riguarda la cella di memoria di base. Si è scelto di adottare una cella floating gate, un design universalmente utilizzato e perfezionato dopo anni di produzione in grandi volumi di memoria flash planare. È la prima volta che viene utilizzata una cella floating gate nella NAND 3D, con una scelta di design cruciale per aumentare le prestazioni e incrementare qualità e affidabilità.
La nuova tecnologia NAND 3D posiziona le celle flash in 32 livelli verticali per ottenere un die MLC (Multi Level Cell) da 256 Gb e un die TLC (Triple Level Cell) da 384 Gb che rientrano in un package standard. Queste capacità rendono possibili unità SSD delle dimensioni di una gomma da masticare con oltre 3,5 TB di storage e unità SSD standard da 2,5 pollici superiori a 10 TB. Poiché la capacità si ottiene posizionando le celle in verticale, le dimensioni delle singole celle possono essere notevolmente più grandi. In questo modo si prevede di ottenere un aumento sia delle prestazioni che dell’efficienza, rendendo anche le architetture TLC adatte per lo storage dei data center.
Le principali caratteristiche di questa architettura includono:
• Ampia capacità: tre volte superiore rispetto all’attuale tecnologia 3D1, fino a 48 GByte di NAND per die, consentendo di inserire tre quarti di terabyte in un singolo package delle dimensioni di un polpastrello.
• Costo per GByte ridotto: la prima generazione di NAND 3D è progettata per offrire maggiori efficienze dei costi rispetto alla NAND planare.
• Velocità: ampia larghezza di banda in lettura/scrittura, velocità di I/O e prestazioni in lettura casuale.
• Ecosostenibilità: le nuove modalità sleep riducono l’alimentazione del die NAND inattivo (anche quando l’altro die nello stesso package è attivo), con una riduzione significativa del consumo energetico in modalità standby.
• Innovazione: le nuove caratteristiche all’avanguardia migliorano la latenza e la resistenza rispetto alle precedenti generazioni, semplificando inoltre l’integrazione dei sistemi.
La versione MLC da 256 GByte della NAND 3D è già in fase di campionamento presso partner selezionati, mentre il campionamento della versione TLC da 384 GByte inizierà più avanti in primavera. La linea di produzione della fab è già nelle fasi iniziali ed entrambi i dispositivi entreranno in piena produzione entro il quarto trimestre di quest’anno. Le due aziende stanno anche sviluppando singole linee di soluzioni SSD basate su tecnologia NAND 3D, con la disponibilità dei prodotti prevista entro il prossimo anno.
