Texas Instruments decide di espandere la gamma GaN caratterizzata da una bassa potenza, in modo da ridurre delle metà le dimensioni degli alimentatori CA/CC. La gamma al nitruro di gallio (GaN) a bassa potenza è progettata per migliorare la densità di potenza. Oltre a massimizzare l’efficienza del sistema e ridurre le dimensioni dell’elettronica di consumo CA/CC e dei sistemi industriali. L’intera gamma di TI di transistor a effetto di campo (FET) al GaN con gate driver integrati affronta le più comuni sfide nella progettazione termica. Così da ridurre la temperatura degli alimentatori pur condensando maggiore potenza in ingombri più ridotti.
TI espande gli alimentatori CA/CC
La nuova gamma di FET GaN con gate driver integrati offre il rilevamento integrato della corrente più accurato nel settore. Questa funzionalità aiuta i progettisti a ottenere la massima efficienza. Eliminando la necessità di una resistenza shunt esterna e riducendo le perdite di potenza correlate fino al 94% rispetto ai tradizionali circuiti di rilevamento della corrente utilizzati con FET in silicio e GaN di tipo discreto.
Massimizzare l’efficienza energetica e semplificare la progettazione termica
I FET GaN di TI con gate driver integrati permettono di raggiungere velocità di commutazione più elevate, contribuendo quindi a proteggere gli alimentatori dal surriscaldamento. I progettisti possono quindi raggiungere un’efficienza del sistema anche del 94%per applicazioni in CA/CC <75 W. Oppure superiore al 95% per applicazioni in CA/CC >75 W. Grazie ai nuovi dispositivi i progettisti possono ridurre le dimensioni della soluzione per un tipico alimentatore da 67 W anche del 50% rispetto alle soluzioni basate su silicio.
Gli alimentatori CA/CC riducono della metà le dimensioni grazie a GaN
Inoltre la gamma è ottimizzata per le tipologie più diffuse nella conversione di potenza in CA/CC, come convertitore flyback quasi risonante. Poi a mezzo ponte simmetrico, convertitore induttore-induttore, correzione del fattore di potenza totem-pole e flyback a clamp attivo.
Un investimento a lungo termine nella produzione in GaN
TI vanta una lunga storia di attività produttive interne in varie aree del mondo, tra cui fabbriche di wafer, stabilimenti di assemblaggio e test. Nonché strutture bump and probe in 15 sedi in tutto il mondo. L’azienda investe nella produzione con tecnologia GaN da oltre 10 anni. Avendo pianificato di produrre più del 90% dei suoi prodotti internamente entro il 2030, è in grado di fornire ai suoi clienti il necessario per i decenni a venire.
