Micron Technology avvia la produzione in serie della prima NAND flash a 232 layer al mondo, realizzata con la sua tecnologia alta densità areale.
Poiché il mondo genera sempre più dati, i clienti devono espandere la capacità di archiviazione e le prestazioni, riducendo al contempo il consumo di energia e soddisfacendo i più stringenti requisiti di sostenibilità ambientale. La tecnologia NAND a 232 layer di Micron fornisce una capacità di archiviazione ad alte prestazioni necessaria per supportare le soluzioni avanzate e i servizi in tempo reale richiesti nei data center e nelle applicazioni automobilistiche, nonché esperienze reattive e coinvolgenti sui dispositivi mobili, l’elettronica di consumo e i PC.
Questo nodo tecnologico consente l’introduzione della più elevata velocità di NAND I/O del settore, 2,4 gigabyte al secondo (GB/s), per soddisfare le esigenze di bassa latenza e l’alto rendimento dei carichi di lavoro incentrati sui dati, tra cui l’intelligenza artificiale e l’apprendimento automatico, i database non strutturati, l’analisi in tempo reale e il cloud computing.
La NAND offre inoltre una larghezza di banda in scrittura superiore del 100% e una larghezza di banda in lettura superiore di oltre il 75% per matrice rispetto alla generazione precedente. Questi vantaggi per ogni singola matrice si traducono in un aumento delle prestazioni e dell’efficienza energetica nelle unità SSD e nelle soluzioni NAND integrate.
Inoltre, la NAND a 232 layer introduce la prima NAND TLC in serie a sei piani al mondo. Ha il maggior numero di piani per matrice di qualsiasi altra flash TLC3 e dispone di capacità di lettura indipendente per ogni piano. La combinazione di alta velocità di I/O, latenza di lettura e scrittura e architettura a sei piani di Micron offre i migliori trasferimenti di dati della categoria in molte configurazioni.
NAND flash a 232 layer
La NAND a 232 layer di Micron è la prima in produzione ad abilitare NV-LPDDR4, un’interfaccia a bassa tensione in grado di offrire un risparmio di trasferimento per bit di oltre il 30% rispetto alle interfacce I/O precedenti.
Il fattore di forma compatto della NAND a 232 layer offre ai clienti flessibilità nei loro design, consentendo al contempo la più alta densità TLC per millimetro quadrato mai prodotta (con 14,6 Gb/mm2). La densità areale è tra il 35% e il 100% superiore a quella dei prodotti TLC concorrenti presenti oggi sul mercato. Spedito in un nuovo package di 11,5 mm x 13,5 mm, la NAND a 232 layer presenta una dimensione del package del 28% inferiore rispetto alle precedenti generazioni di Micron, rendendola la più piccola NAND ad alta densità disponibile. Una maggiore densità in un ingombro ridotto riduce al minimo lo spazio sulla scheda per una vasta serie di implementazioni.
La NAND a 232 strati di Micron è ora in produzione in serie nella fabbrica dell’azienda a Singapore. Inizialmente viene spedito ai clienti sotto forma di componenti e tramite la sua linea di prodotti consumer Crucial SSD. Seguiranno ulteriori annunci di prodotti e disponibilità.
